Diapositive PPT

Gravure isotrope du silicium

Gravure humide

• Solution pour gravure: HNA (mélange de HF, HNO3 et CH3COOH)

• Température 25°C

• 1 à 20 mm/min

• arrêt sur nitride ou éventuellement SiO2 (10 à 30 nm/min)

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